在高達攝氏125度的高溫環(huán)境下這些器件仍可正常運作，專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機的工業(yè)控制機械等設計，完全符合嚴苛的汽車行業(yè)AEC Q100標準規(guī)范的要求。

車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求日益增多，于是市場對于高效能非易失性內(nèi)存技術的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠穩(wěn)當并無延遲地儲存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。因為MRAM屬于非失去性內(nèi)存，不但能夠進行高速隨機存取，且具有高耐寫度的的優(yōu)勢，因此能以最好的性能滿足這類應用的需求。目前，MRAM器件能支持如事故數(shù)據(jù)記錄器（EDR）、安全氣囊數(shù)據(jù)儲存、電池管理系統(tǒng)（BMS）、汽車駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及導航與信息娛樂系統(tǒng)等應用中的實時且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲存，這樣能夠降低系統(tǒng)復雜度并提高數(shù)據(jù)完整性。

搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit兩個容量。其操作電壓范圍為1.8~3.6V，操作溫度范圍為攝氏零下40~125度，這樣的寬溫范圍符合車用市場標準及高溫環(huán)境下的工業(yè)應用需求。

MR25H256AMDF和MR25H256AMDFR, MR25H256APDF, MR25H256APDFR提供高達10兆次的寫入次數(shù)，采用標準SOP-8封裝。

本文關鍵詞：  MRAM磁性存儲器              

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